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TOSHIBA TK100A10N1,S4X(S MOSFET, CANALE N, 100V, 100A, TO-220SIS


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-4172985
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     TK100A10N1,S4X(S
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0031 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 207 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220SIS Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 45 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, TOSHIBA, TK100A10N1,S4X(S, 4172985, 417-2985
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