TOSHIBA TK12A60W,S4VX(M MOSFET, CANALE N, 600V, 11.5A, TO-220SIS

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.265 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 11.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220SIS Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 35 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised