TOSHIBA TK14G65W5,RQ(S MOSFET, CANALE N, 650V, 13.7A, D2PAK

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.25 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 13.7 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor D2PAK Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 130 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)