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TOSHIBA TK25V60X,LQ(S MOSFET, CANALE N, 600V, 25A, DFN


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-4173052
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     TK25V60X,LQ(S
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.11 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 25 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor DFN Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 180 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, TOSHIBA, TK25V60X,LQ(S, 4173052, 417-3052
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