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Articolo
TOSHIBA TK2R4E08QM,S1X(S MOSFET, CANALE N, 80V, 120A, TO-220
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-4173068
Produttore:
Toshiba
N. Art. Produtt.:
TK2R4E08QM,S1X(S
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.00197 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 290 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 300 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
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Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
(FET)
,
Campo
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Discreti
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Effetto
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Semiconduttori
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Transistori
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TOSHIBA
,
TK2R4E08QM,S1X(S
,
4173068
,
417-3068
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