TOSHIBA TK4P60DA,RQ(S2 MOSFET, CANALE N, 600V, 3.5A, TO-252

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.7 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 3.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 80 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised