TOSHIBA TK6R8A08QM,S4X(S MOSFET, CANALE N, 80V, 58A, TO-220SIS

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0053 ohm Gamma di prodotti U-MOSX-H Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 58 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-220SIS Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 41 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised