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Articolo
TOSHIBA TK7A60W,S4VX(M MOSFET, CANALE N, 600V, 7A, TO-220SIS
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-4173151
Produttore:
Toshiba
N. Art. Produtt.:
TK7A60W,S4VX(M
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.5 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 7 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220SIS Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 30 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
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MOSFET
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Transistori
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Transistore
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transistor a effetto campo
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(FET)
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Campo
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Discreti
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Effetto
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Semiconduttori
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Singoli
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TOSHIBA
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TK7A60W,S4VX(M
,
4173151
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417-3151
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