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Transistor a effetto campo
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Articolo
TOSHIBA TK8P25DA,RQ(S2 MOSFET, CANALE N, 250V, 7.5A, TO-252
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-4173172
Produttore:
Toshiba
N. Art. Produtt.:
TK8P25DA,RQ(S2
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Dissipazione di potenza 55 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.41 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 7.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 250 V
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
(FET)
,
Campo
,
Discreti
,
Effetto
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Semiconduttori
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Singoli
,
Transistori
,
TOSHIBA
,
TK8P25DA,RQ(S2
,
4173172
,
417-3172
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