TOSHIBA TPH1110ENH,L1Q(M MOSFET, CAN N, 200V, 7.2A, SOP ADVANCE

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.096 ohm Gamma di prodotti U-MOSVIII-H Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 13 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOP Advance Tensione Drain Source Vds 200 V Dissipazione di potenza 42 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)