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TOSHIBA TPW1R104PB,L1Q(O MOSFET, CANALE N, 40V, 120A, DSOP


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-4173248
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     TPW1R104PB,L1Q(O
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 950 µohm Gamma di prodotti U-MOSIX-H Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 120 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor DSOP Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 132 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, TOSHIBA, TPW1R104PB,L1Q(O, 4173248, 417-3248
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