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Articolo
TOSHIBA TPW1R104PB,L1Q(O MOSFET, CANALE N, 40V, 120A, DSOP
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-4173248
Produttore:
Toshiba
N. Art. Produtt.:
TPW1R104PB,L1Q(O
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 950 µohm Gamma di prodotti U-MOSIX-H Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 120 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor DSOP Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 132 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
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Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
(FET)
,
Campo
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Discreti
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Effetto
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Semiconduttori
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Singoli
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Transistori
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TOSHIBA
,
TPW1R104PB,L1Q(O
,
4173248
,
417-3248
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