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ONSEMI FCPF380N65FL1 MOSFET, CANALE N, 650V, 10.2A, TO-220F


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     8585-4184334
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FCPF380N65FL1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.38 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 10.2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220F Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 33 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FCPF380N65FL1, 4184334, 418-4334
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