Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-4185042 N. Art. Produtt.:
NTMFS4C032NT1G EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.009 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 65 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor DFN Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 24.6 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NTMFS4C032NT1G, 4185042, 418-5042 |
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