Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-4185088 N. Art. Produtt.:
NTNS3A91PZT5G EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0016 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 223 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor XLLGA Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 121 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NTNS3A91PZT5G, 4185088, 418-5088 |
| | |
| |