Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-4185142 N. Art. Produtt.:
NTTFS4C25NTAG EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.017 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 7.7 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor WDFN Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 20.2 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NTTFS4C25NTAG, 4185142, 418-5142 |
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