GENESIC SEMICONDUCTOR G2R50MT33K MOSFET, CANALE N, 3,3KV, 63A, TO-247

Dissipazione di potenza 536 W Tensione di soglia Gate-Source massima 3.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Dec-2015) Tensione di test di Rds(on) 20 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.05 ohm Gamma di prodotti G2R Series Numero di pin 4 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-247 Corrente Continua di Drain Id 63 A Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione Drain Source Vds 3.3 kV