Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-9102396 N. Art. Produtt.:
IRFD020PBF EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.1 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 2.4 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor DIP Tensione Drain Source Vds 50 V Dissipazione di potenza 1 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) |
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| Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, IRFD020PBF, 9102396, 910-2396 |
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