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VISHAY SI7456DP-T1-GE3 MOSFET, N, SO-8


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N. Articolo:
     8585-9550704
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI7456DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.021 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 5.7 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 1.9 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SI7456DP-T1-GE3, 9550704, 955-0704
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