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Articolo
ONSEMI FDC6305N MOSFET, DOPPIO, NN, SUPERSOT-6
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-9844805
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
FDC6305N
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P - Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P - Corrente di drain continua (Id) canale N 2.7 A Resistenza RdsON canale N 0.08 ohm Resistenza RdsON canale P - Tipo di canale canale N Dissipazione di potenza canale N 960 mW Dissipazione di potenza canale P - Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SuperSOT Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Doppi
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
(FET)
,
Campo
,
Discreti
,
Doppi
,
Effetto
,
Semiconduttori
,
Transistori
,
ONSEMI
,
FDC6305N
,
9844805
,
984-4805
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V11-7
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LICEFA V11-7-6-10 REEL RACK, SMD, ESD, 25TO330MM REELS
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