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ONSEMI FDC6561AN MOSFET, DOPPIO, NN, SUPERSOT-6


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     8585-9844813
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDC6561AN
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P - Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P - Corrente di drain continua (Id) canale N 2.5 A Resistenza RdsON canale N 0.082 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P - Dissipazione di potenza canale N 960 mW Dissipazione di potenza canale P - Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SuperSOT Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, ONSEMI, FDC6561AN, 9844813, 984-4813
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