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STMICROELECTRONICS STS4DNF60L MOSFET, N, LOGIC, SO-8


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     8585-9935738
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STS4DNF60L
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P - Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P - Corrente di drain continua (Id) canale N 4 A Resistenza RdsON canale N 0.045 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P - Dissipazione di potenza canale N 2.5 W Dissipazione di potenza canale P - Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, STMICROELECTRONICS, STS4DNF60L, 9935738, 993-5738
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