Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585N-1772548 N. Art. Produtt.:
IRFD123PBF EAN/GTIN:
n.d. |
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| Montaggio Transistore Through Hole Tensione di test di Rds(on) 10 V Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor HVMDIP Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) Tensione Drain Source Vds 100 V Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Corrente Continua di Drain Id 1.3 A Numero di pin 4 Pin Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Unlimited Resistenza Drain-Source in conduzione 0.27 ohm Dissipazione di potenza 1.3 W Gamma di prodotti - Tipo di canale N Channel Qualificazioni - |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, IRFD123PBF, 1772548, 177-2548 |
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