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VISHAY IRF640SPBF N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, D2-PAK, Cha


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N. Articolo:
     8585N-1772602
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     IRF640SPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Corrente Continua di Drain Id 18 A Tensione Drain Source Vds 200 V Montaggio Transistore Surface Mount Qualificazioni - Dissipazione di potenza 130 W Temperatura di esercizio max 150 °C Resistenza Drain-Source in conduzione 0.18 ohm Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Unlimited Numero di pin 3 Pin Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead Gamma di prodotti - Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione di test di Rds(on) 10 V Tipo di canale N Channel
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, IRF640SPBF, 1772602, 177-2602
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