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VISHAY IRFIBF20GPBF N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220, Cha
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pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585N-1783827
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
IRFIBF20GPBF
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n.d.
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Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 900 V Corrente Continua di Drain Id 1.2 A Dissipazione di potenza 30 W Resistenza Drain-Source in conduzione 8 ohm Tensione di test di Rds(on) 10 V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead Temperatura di esercizio max 150 °C Montaggio Transistore Through Hole Tipo di canale N Channel Numero di pin 3 Pin Gamma di prodotti -
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Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
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Transistor di potenza
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MOSFET
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VISHAY
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IRFIBF20GPBF
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1783827
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178-3827
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