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VISHAY SI2318DS-T1-GE3 N CHANNEL MOSFET, Channel Type:N Channel
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pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585N-1867178
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SI2318DS-T1-GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Gamma di prodotti - Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione di test di Rds(on) 10 V Corrente Continua di Drain Id 3 A Montaggio Transistore Surface Mount Numero di pin 3 Pin Tensione Drain Source Vds 40 V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Unlimited Resistenza Drain-Source in conduzione 0.036 ohm Dissipazione di potenza 750 mW Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tipo di canale N Channel Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Stile di Case del Transistor SOT-23 Qualificazioni -
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Singoli
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VISHAY
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