Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585N-2427098 N. Art. Produtt.:
SI2304BDS-T1-E3 EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione di soglia Gate-Source massima 1.5 V Tensione di test di Rds(on) 10 V Temperatura di esercizio max 150 °C Montaggio Transistore Surface Mount Qualificazioni - Resistenza Drain-Source in conduzione 0.055 ohm Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 30 V Tipo di canale N Channel Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Dissipazione di potenza 1.08 W Numero di pin 3 Pin Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Corrente Continua di Drain Id 3.2 A Gamma di prodotti - |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SI2304BDS-T1-E3, 2427098, 242-7098 |
| | |
| |