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VISHAY SI2300DS-T1-GE3 MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3,
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585N-2459407
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SI2300DS-T1-GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Qualificazioni - Corrente Continua di Drain Id 3.6 A Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Unlimited Montaggio Transistore Surface Mount Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Stile di Case del Transistor SOT-23 Resistenza Drain-Source in conduzione 0.055 ohm Tipo di canale N Channel Dissipazione di potenza 1.7 W Gamma di prodotti - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tensione Drain Source Vds 30 V Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione di soglia Gate-Source massima 600 mV Numero di pin 3 Pin
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Singoli
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SI2300DS-T1-GE3
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