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VISHAY SUD09P10-195-GE3 MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C, Ch
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585N-2918685
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SUD09P10-195-GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
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Diodi
Diodo
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente Continua di Drain Id 8.8 A Montaggio Transistore Surface Mount Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Tensione Drain Source Vds 100 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Qualificazioni - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Dissipazione di potenza 32.1 W Tipo di canale P Channel Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.162 ohm
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Singoli
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Discreti
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Effetto
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Semiconduttori
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VISHAY
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SUD09P10-195-GE3
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2918685
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