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VISHAY SUD09P10-195-GE3 MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C, Ch


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N. Articolo:
     8585N-2918685
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SUD09P10-195-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente Continua di Drain Id 8.8 A Montaggio Transistore Surface Mount Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Tensione Drain Source Vds 100 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Qualificazioni - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Dissipazione di potenza 32.1 W Tipo di canale P Channel Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.162 ohm
Altri termini di ricerca: Transistor IGBT, FET di giunzione, Transistor, Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SUD09P10-195-GE3, 2918685, 291-8685
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