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Infineon IPB019N08N3 G transistor 30 V


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Informazioni sul prodotto
Infineon IPB019N08N3 G transistor 30 V
Infineon IPB019N08N3 G transistor 30 V
N. Articolo:
     CIIT7-79087011
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB019N08N3GATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Transistor dual
FET di giunzione
Altre informazioni:
Caratteristiche
Voltaggio
30 V
Potenza
300 W
Resistenza
0.012 mΩ
Intervallo temperatura di funzionamento
-55 - 175 °C
Certificazione
RoHs
Riepilogo condizioni1
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