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Transistor a effetto campo
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Articolo
Infineon IPB029N06N3 G transistor 55 V
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
CIIT7-79087041
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IPB029N06N3GATMA1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Altre informazioni:
Caratteristiche
Voltaggio
55 V
Potenza
188 W
Resistenza
0.008 mΩ
Intervallo temperatura di funzionamento
-55 - 175 °C
Certificazione
RoHs
... >
Attrezzature industriali e di laboratorio
>
Componenti elettronici
>
Transistor
Altri termini di ricerca:
MOSFET di potenza
,
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
SMD transistor
,
Transistor SMD
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
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