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Infineon IPB083N10N3 G transistor 75 V


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Informazioni sul prodotto
Infineon IPB083N10N3 G transistor 75 V
Infineon IPB083N10N3 G transistor 75 V
N. Articolo:
     CIIT7-79087087
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB083N10N3GATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Altre informazioni:
Caratteristiche
Voltaggio
75 V
Potenza
125 W
Resistenza
0.0045 mΩ
Intervallo temperatura di funzionamento
-55 - 175 °C
Certificazione
RoHs
Quadro generale delle condizioni migliori tra tutte 2 le offerte1
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