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Infineon IPB200N15N3 G transistor 100 V


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Informazioni sul prodotto
Infineon IPB200N15N3 G transistor 100 V
Infineon IPB200N15N3 G transistor 100 V
N. Articolo:
     CIIT7-79087140
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB200N15N3GATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Altre informazioni:
Caratteristiche
Voltaggio
100 V
Potenza
150 W
Resistenza
0.026 mΩ
Intervallo temperatura di funzionamento
-55 - 175 °C
Certificazione
RoHs
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