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Infineon IPD068N10N3 G transistor 80 V


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Informazioni sul prodotto
Infineon IPD068N10N3 G transistor 80 V
Infineon IPD068N10N3 G transistor 80 V
N. Articolo:
     CIIT7-79087251
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPD068N10N3GATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Altre informazioni:
Caratteristiche
Voltaggio
80 V
Potenza
150 W
Resistenza
0.0047 mΩ
Intervallo temperatura di funzionamento
-55 - 175 °C
Certificazione
RoHs
Altri termini di ricerca: MOSFET, mosfet di potenza
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