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Infineon IPB025N10N3 G transistor 120 V


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Informazioni sul prodotto
Infineon IPB025N10N3 G transistor 120 V
Infineon IPB025N10N3 G transistor 120 V
N. Articolo:
     CIIT7-79087278
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB025N10N3GATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Altre informazioni:
Caratteristiche
Voltaggio
120 V
Potenza
300 W
Resistenza
0.0147 mΩ
Intervallo temperatura di funzionamento
-55 - 175 °C
Certificazione
RoHs
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