FET di giunzione  (27.010 offerte tra 5.501.147 articoli)

Tipo transistor = NPN Corrente c.c. massima collettore = 7,5 mA Tensione massima collettore emitter = 80 V Tipo di package = SOT-343 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale

Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 300ns Tensione drenaggio-fonte: 900V Corrente di drenaggio: 33A Resistenza nello stato di con...

Produttore: IXYS Montaggio: SMD Corpo: SOP4 Tempo d'avvio: 1µs Tempo d'interruzione: 30µs Numero canali: 1 Genere di uscita: transistor Tensione di isolamento: 1,5kV CTR@If: 100-800%@0,2mA Tipo di ...

Produttore: DACO Semiconductor Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 60V Corrente di drenaggio: 400A Resistenza nello stato di conduzione: 1,1mΩ ...

Tipo transistor = NPN Corrente c.c. massima collettore = 100 mA Tensione massima collettore emitter = 4,5 V Tipo di package = SOT-343 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 4 Numer...

Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 650ns Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 40A Resistenza nello stato di con...

Tipo transistor = NPN Corrente c.c. massima collettore = 80 mA Tensione massima collettore emitter = 10 V Tipo di package = SOT-343 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale

Produttore: Wolfspeed(CREE) Temperatura di lavoro: -40...125°C Corpo: Half-Bridge Module Struttura del semiconduttore: transistor/transistor Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV Corrente di drenaggio: 2...

Tipo transistor = NPN Corrente c.c. massima collettore = 80 mA Tensione massima collettore emitter = 20 V Tipo di package = SOT-323 (SC-70) Tipo di montaggio = Montaggio superficiale

Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 270ns Tensione drenaggio-fonte: 650V Corrente di drenaggio: 170A Resistenza nello stato di co...

Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 250ns Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 66A Resistenza nello stato di con...

Tipo transistor = NPN Corrente c.c. massima collettore = 65 mA Tensione massima collettore emitter = 20 V Tipo di package = SOT-363 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale

Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Corpo: SP3F Struttura del semiconduttore: transistor/transistor Tensione drenaggio-fonte: 500V Corrente di drenaggio: 38A Resistenza nello stato di conduzione: 78m...