MOSFET  (25.231 offerte tra 5.317.002 articoli)

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.128 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P C...

Moduli di potenza IGBT e MOSFET, Micrel Inc

MOSFET a canale P, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

Nome del prodotto=MOSFET, Tipo=IXFB100N50Q3, Corrente di drain continua (Id)=100 A, Dissipazione di potenza (Pd)=1.56 kW, Pin=3, Resistenza ON (Rds(on))=49 mΩ, Temperatura di esercizio, max.=150 °C...

Moduli di potenza IGBT e MOSFET, Micrel Inc

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0046 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio ...

Nome del prodotto=MOSFET, Tipo=STP11NK50Z, Corrente di drain continua (Id)=10 A, Dissipazione di potenza (Pd)=125 W, Pin=3, Resistenza ON (Rds(on))=480 mΩ, Temperatura di esercizio, max.=150 °C, Te...

Driver IGBT doppio ibrido SEMIDRIVER™, Semikron. Driver per moduli IGBT nei circuiti a ponte in applicazioni industriali. Tensione del collettore-emettitore・・・SKHI 22 A (R)：1200 V、 SKHI 22 A / B (R...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.008 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P C...

Nome del prodotto=MOSFET, Tipo=STP12NM50FP, Corrente di drain continua (Id)=12 A, Dissipazione di potenza (Pd)=35 W, Pin=3, Resistenza ON (Rds(on))=300 mΩ, Temperatura di esercizio, max.=150 °C, Te...

Driver isolati digitalmente Si8239x, Silicon Labs. Combinazione di due driver isolati con controllo ingresso indipendente o un singolo ingresso per applicazioni ad alta potenza. Tutti funzionano co...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.033 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P C...

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar3™ IXYS. Gamma di MOSFET di potenza a canale N serie Polar3™ IXYS con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™)

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.005 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Tran...