MOSFET  (25.232 offerte tra 5.317.739 articoli)

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. I MOSFET Trench UItraFET® combinano caratteristiche che garantiscono un'elevata efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza. Il dispositivo è ...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 200 mA Tensione massima drain source = 60 V Serie = 2N7000 Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 3 Resistenza massima drain source = 5...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.53 ohm Gamma di prodotti UniFET II Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Cor...

MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia

Corrente di Source (Sorgente) 4.3 A Tipo di Interruttore di Potenza MOSFET Gamma di prodotti - Tipo di Ingresso Non-Invertente Tensione di alimentazione max 18 V Livello di sensibilità all'umidità ...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 640 mA Tensione massima drain source = 30 V Tipo di package = TO-92 Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 3 Resistenza massima drain s...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 800 µohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Trans...

MOSFET a canale N UniFET™, Fairchild Semiconductor. Il MOSFET UniFET™ è una famiglia di MOSFET ad alta tensione di Fairchild Semiconductor. Presenta la più piccola resistenza in stato attivo fra i ...

Corrente di Source (Sorgente) - Tipo di Interruttore di Potenza MOSFET Gamma di prodotti - Tipo di Ingresso Non-Invertente Tensione di alimentazione max 13.2 V Livello di sensibilità all'umidità (M...

MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia

MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor

Questo transistor (normalmente inattivo) a bassa soglia in modalità potenziata utilizza una struttura DMOS verticale e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione ...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.058 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passan...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 4 A Tipo di package = SOIC Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Larghezza = 4mm Altezza = 1.5mm

MOSFET con Microchip TechnologyIl MOSFET a canale N con montaggio a foro passante Microchip Technology è un nuovo prodotto AGE con una resistenza drain-source di 5ohms a una tensione gate-source di...