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  Transistor a effetto campo  (7.527 offerte tra 5.357.409 articoli)

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"Transistor a effetto campo"

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MOSFET Infineon, canale N, 0,28 Ω, 9 A, TO-252, Montaggio superficiale (1 offerta) 
Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per transistor a effetto di campo di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;...
Infineon
IPD60R280CFD7ATMA1
a partire da € 1,095*
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DIODES INC. DMC4040SSDQ-13 MOSFET, DOPPIO, CAN N/P, 40V, 6.8A (3 offerte) 
Tensione drain-source (Vds) canale N 40 V Corrente di drain continua (Id) canale P 6.8 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 40 V Corrente di drain continua...
Diodes
DMC4040SSDQ-13
a partire da € 0,374*
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 pezzo
MOSFET Infineon, canale N, 0,0021 Ω, 30 A, PQFN 5 x 6, Montaggio superficiale (1 offerta) 
Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET®, noti anche come transistor MOSFET, sta per transistor a effetto di campo di metallo ossido semiconduttore. I MOSFET sono dispositivi transistor con...
Infineon
IRFH8311TRPBF
a partire da € 0,641*
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DIODES INC. DMG2305UXQ-7 MOSFET, CANALE P, 20V, 4.2A, SOT-23 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.04 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P C...
Diodes
DMG2305UXQ-7
a partire da € 0,0473*
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 pezzo
DIODES INC. DMG6402LVT-7 MOSFET, CAN N, 30V, 6A, TSOT-26 (3 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.022 ohm Gamma di prodotti DMG6402LVT Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore mo...
Diodes
DMG6402LVT-7
a partire da € 0,064*
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DIODES INC. DMC6040SSD-13 MOSFET, DOPPIO CAN N/P, 5.1A, 60V 150°C (2 offerte) 
Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 5.1 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensio...
Diodes
DMC6040SSD-13
a partire da € 0,238*
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MOSFET Infineon, canale N, 0.11 Ω, 31,2 A, TO-220, Su foro (1 offerta) 
I MOSFET Infineon, noti anche come transistor MOSFET, sono lacronimo di Metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistor. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;Eff...
Infineon
IPP65R110CFDAAKSA1
a partire da € 4,58*
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MOSFET Infineon, canale N, 0,003 Ω, 120 A, TO-220, Su foro (1 offerta) 
I MOSFET Infineon, noti anche come transistor MOSFET, sono lacronimo di Metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistor. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;Eff...
Infineon
IPP030N10N5AKSA1
a partire da € 2,927*
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DIODES INC. DMG6898LSDQ-13 MOSFET, DOPPIO, CAN N, 20V, 9.5A (1 offerta) 
Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 9.5 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua...
Diodes
DMG6898LSDQ-13
a partire da € 0,258*
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DIODES INC. DMG3413L-7 MOSFET, CANALE P, 20V, 3A, SOT-23 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.073 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P ...
Diodes
DMG3413L-7
a partire da € 0,0975*
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DIODES INC. DMG3415UQ-7 MOSFET, CANALE P, 20V, 4A, SOT-23 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.031 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P ...
Diodes
DMG3415UQ-7
a partire da € 0,1001*
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MOSFET Infineon, canale N, 2.8 Ω, 1,9 A, TO-252, Montaggio superficiale (1 offerta) 
Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per transistor a effetto di campo di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;...
Infineon
IPD80R2K8CEATMA1
a partire da € 0,578*
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DIODES INC. DMG8601UFG-7 MOSFET, DOPPIO, CAN N, 20V, 6.1A (2 offerte) 
Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 6.1 A Resistenza RdsON canale N 0.017 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.017 ohm Dissipazione...
Diodes
DMG8601UFG-7
a partire da € 0,171*
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 pezzo
MOSFET Infineon, canale N, 0,0038 Ω, 90 A, TO-252, Montaggio superficiale (1 offerta) 
Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per transistor a effetto di campo di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;...
Infineon
IPD90N06S404ATMA2
a partire da € 1,111*
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 pezzi
DIODES INC. DMG4413LSS-13 MOSFET, CANALE P, 30V, 12A, SOIC (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0063 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P ...
Diodes
DMG4413LSS-13
a partire da € 0,326*
per pezzo
 
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