Transistor a effetto campo  (7.527 offerte tra 5.357.409 articoli)

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Qualificazioni - Tensione drain-source (Vds) canale N 12 V Corrente di drain continua (Id) canale P 6.9 A Gamma di prodotti - Livello...

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.067 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 17 A Temperatura di es...

I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di ″transistor a effetto di campo″. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;Effet...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.17 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tran...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.035 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N ...

MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare bre...

Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Corrente di drain continua (Id) canale P 8 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tension...

I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di ″transistor a effetto di campo″. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;Effet...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.35 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tran...

MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare bre...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.115 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...

I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di ″transistor a effetto di campo″. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;Effet...

Tensione drain-source (Vds) canale N 14 V Corrente di drain continua (Id) canale P 24.4 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensi...

Blocchi con sensore a effetto Hall a tempo continuo A1210/1/2/3/4, Allegro Microsystems. I blocchi a effetto Hall Allegro Microsystems A1210/1/2/3/4 includono un regolatore di tensione, un generato...