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  Transistori  (2.225 offerte tra 5.318.173 articoli)

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DIODES INC. ZUMTS17NTA TRANSISTORE RF, NPN, 11V, 0.05A (1 offerta) 
Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Polarità Transistor NPN Frequenza di transiz...
Diodes
ZUMTS17NTA
a partire da € 0,65*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 274 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65SS5XKSA1
a partire da € 168,1002*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 600V; Ic: 190A; SOT227B (1 offerta) 
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Tensione invertita max.: 0,6kV Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 190A Corrente del colletto...
IXYS
IXGN400N60A3
a partire da € 40,79*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A; AG-62MM (2 offerte) 
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Corpo: AG-62MM Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 600A Corr...
Infineon
FZ600R12KE3HOSA1
a partire da € 131,68*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 2 Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65SS5XKSA1
a partire da € 6,601*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo: IGBT; diodo/transistor; ponte monofase a diodi; Ic: 30A (2 offerte) 
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Corpo: AG-EASY1B-1 Tensione invertita max.: 0,6kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 30A Cor...
Infineon
FB30R06W1E3BOMA1
a partire da € 26,08*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 695W; TO264 (4 offerte) 
Produttore: IXYS Montaggio: THT Corpo: TO264 Tensione collettore-emettitore: 600V Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 100A Corrente del collettore nel impulso: 340A Tempo d'a...
IXYS
IXXK100N60C3H1
a partire da € 13,44*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 2 Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW75N65RH5XKSA1
a partire da € 153,78*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,2kV; Ic: 185A; SOT227B (2 offerte) 
Produttore: VISHAY Corpo: SOT227B Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 185A Corrente del collet...
Vishay
VS-GT180DA120U
a partire da € 32,766*
per pezzo
 
 pezzo
INFINEON FS150R12KE3BOSA1 TRANSISTOR, MODULO IGBT, 1.2KV, 200A (2 offerte) 
Gamma di prodotti Econo 3 Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 125 °C Stile di Case del Transistor modulo Corrente di Collettore continua 200 A Terminazione IG...
Infineon
FS150R12KE3BOSA1
a partire da € 135,291*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 395 W Configurazione = Single
Infineon
IKW75N65RH5XKSA1
a partire da € 6,07*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B (1 offerta) 
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Corpo: SOT227B Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 57A Corre...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75GP120JDQ3
a partire da € 42,54*
per pezzo
 
 pezzo
LITTELFUSE IXBT42N170 TRANSISTORE, 1.7KV, 80A, TO-268 (1 offerta) 
Gamma di prodotti BiMOSFET Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Massima tensione Collettore-Emettitore 1.7 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-268 (D...
Littelfuse
IXBT42N170
a partire da € 17,61*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 395 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW75N65SS5XKSA1
a partire da € 232,77*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B (1 offerta) 
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Tensione invertita max.: 0,6kV Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 52A Corrente del collettor...
IXYS
IXGN72N60C3H1
a partire da € 26,34*
per pezzo
 
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