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MOSFET onsemi, canale N, 7,5 Ω, 115 mA, SOT-23, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1032941
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     2N7002LT1G
EAN/GTIN:
     5059042341263
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
115 mA
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
7,5 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Dissipazione di potenza massima:
300 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
2.9mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 1032941, Semiconduttori, Discreti, onsemi, 2N7002LT1G
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