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MOSFET DiodesZetex, canale P, 134 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1219599
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMG2307L-7
EAN/GTIN:
     5059043265469
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale P, 30 V, Diodes Inc
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
2 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
134 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
1,9 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
3mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, 1219599, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, DMG2307L7
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Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 3369
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