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MOSFET onsemi, canale N, 1 mΩ, 370 A, DFN, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1412965
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVMFS5C404NLAFT1G
EAN/GTIN:
     5059042620429
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET di potenza a canale N, 40V, ON Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
370 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
DFN
Serie:
NVMFS5C404NL
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
4 + Tab
Resistenza massima drain source:
1 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2V
Tensione di soglia gate minima:
1.2V
Dissipazione di potenza massima:
200 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
5.1mm
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1412965, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NVMFS5C404NLAFT1G
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