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Articolo
MOSFET IXYS, canale N, 50 mΩ, 62 A, TO-247, Su foro
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-1461777
Produttore:
IXYS
N. Art. Produtt.:
IXTH62N65X2
EAN/GTIN:
5059041736329
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET di potenza a canale N, serie IXYS X2-Class. La serie di MOSFET di potenza classe X2 IXYS offre una carica significativamente ridotta su resistenza e di gate rispetto alle precedenti generazioni di MOSFET di potenza, per minori perdite e una maggiore efficienza operativa. Questi robusti dispositivi incorporano un diodo intrinseco e sono adatti per le applicazioni sia con modalità di commutazione hard che di risonanza. I MOSFET di potenza di classe X2 sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali fino a 120 A a 650 V. Le applicazioni tipiche includono: convertitori c.c./c.c., azionamenti per motori c.a e c.c., alimentatori switching e con modalità di risonanza, chopper c.c., inverter solari, controllo della temperatura e dell'illuminazione. RDS(on) e QG (carica gate) molto ridotti Diodo raddrizzatore intrinseco Bassa resistenza di gate intrinseca Contenitore a bassa induttanza Contenitori conformi allo standard industriale
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
62 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
X2-Class
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
50 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Tensione di soglia gate minima:
2.7V
Dissipazione di potenza massima:
780 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
16.13mm
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
Transistori
,
Transistore
,
transistor di potenza
,
1461777
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
IXYS
,
IXTH62N65X2
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