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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET IXYS, canale N, 13 mΩ, 170 A, SOT-227, Montaggio a vite
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-1464405
Produttore:
IXYS
N. Art. Produtt.:
IXFN170N65X2
EAN/GTIN:
5059041642668
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 170 A
Tensione massima drain source = 650 V
Tipo di package = SOT-227
Tipo di montaggio = Montaggio a vite
Numero pin = 4
Resistenza massima drain source = 13 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 5V
Tensione di soglia gate minima = 3.5V
Dissipazione di potenza massima = 1,17 kW
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±30 V
Larghezza = 25.07mm
Tensione diretta del diodo = 1.4V
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
170 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
SOT-227
Serie:
HiperFET
Tipo di montaggio:
Montaggio a vite
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
13 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Tensione di soglia gate minima:
3.5V
Dissipazione di potenza massima:
1,17 kW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±30 V
Lunghezza:
38.23mm
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
1464405
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
IXYS
,
IXFN170N65X2
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