Categorie
My Mercateo
Accedi / Registrati
Carrello
 
 

MOSFET Nexperia, canale N, 18,4 mΩ, 76 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Product Image
Product Image
N. Articolo:
     3369E-1513378
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN8R5-60YS,115
EAN/GTIN:
     5059043653969
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale N 40 V - 60 V. MOSFET di livello logico e standard in una varietà di contenitori. I MOSFET del nostro ampio portafoglio di dispositivi sono solidi e facili da usare nella gamma da 40 V a 60 V. Sono perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione e forniscono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area).MOSFET a canale N LFPAK di livello standard da 60 V, 8 mΩ. MOSFET a canale N di livello standard in contenitore LFPAK qualificato per l’uso a 175 °C. Questo prodotto è progettato e qualificato per luso in unampia gamma di apparecchiature industriali, per le comunicazioni e domestiche.L’avanzata tecnologia TrenchMOS fornisce RDSon e carica di gate basse Guadagni di elevata efficienza in convertitori di potenza di commutazione Caratteristiche meccaniche e termiche migliorate LFPAK fornisce la massima densità di potenza in un contenitore Power SO8 Convertitori c.c.-c.c. Protezione della batteria agli ioni di litio Commutazione dei carichi Controllo motori Alimentatori server
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
76 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
18,4 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.8V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
106 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
20 V
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1513378, Semiconduttori, Discreti, Nexperia, PSMN8R560YS,115
Offerte (3)
Stato magazzino
Quantità min.
Spedizione
Prezzo progressivo
Prezzo unitario
^
Magazzino 3369
1500
Franco domicilio
a partire da € 0,643*
€ 0,713*
4 giorni
1286
1
€ 14,99*
a partire da € 0,475*
€ 1,41*
1
€ 7,90*
a partire da € 0,68*
€ 1,43*
Prezzi: Magazzino 3369
Quantità di ordine
Netto
Lordo
Unità
a partire da 1500 pezzi
€ 0,713*
€ 0,87
per pezzo
a partire da 2500000 pezzi
€ 0,643*
€ 0,784
per pezzo
Ordini solo in multipli di 1.500 pezzi
Quantità minima di ordine: 1500 pezzi ( € 1.069,50* più IVA )
Stato magazzino: Magazzino 3369
Spedizione: Magazzino 3369
Valore dell'ordine
Spedizione
a partire da € 0,00*
Franco domicilio
Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 3369
Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione.
Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati.
* I prezzi contrassegnati con l'asterisco sono netti, IVA esclusa.
La nostra offerta è rivolta esclusivamente alle aziende, ai commercianti e ai liberi professionisti. Mercateo Italia s.r.l. - C.F. e P.IVA 02885620217