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MOSFET Infineon, canale N, 5,3 mΩ, 160 A, TO-247, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-1658165
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFP1405PBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
160 A
Tensione massima drain source:
55 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
5,3 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Dissipazione di potenza massima:
310 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
15.29mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1658165, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRFP1405PBF
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