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MOSFET STMicroelectronics, canale N, 4,8 Ω, 3 A, TO-220, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-1686104
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STP3NK90Z
EAN/GTIN:
     5059042327847
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
3 A
Tensione massima drain source:
900 V
Tipo di package:
TO-220
Serie:
MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
4,8 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.5V
Tensione di soglia gate minima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
90 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
10.4mm
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1686104, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, STP3NK90Z
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