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MOSFET STMicroelectronics, canale N, 5 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1686679
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STB100NF04T4
EAN/GTIN:
     5059042342123
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
STripFET™ II a canale N, STMicroelectronics. I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
120 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
STripFET II
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
5 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
300 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.4mm
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1686679, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, STB100NF04T4
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