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MOSFET STMicroelectronics, canale N, 3,7 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1687477
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STB160N75F3
EAN/GTIN:
     5059042356915
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
STripFET™ a canale V, STMicroelectronics
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
120 A
Tensione massima drain source:
75 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
STripFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
3,7 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
330 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.75mm
Altri termini di ricerca: 1687477, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, STB160N75F3
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